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电子元器件详细资料 » IC[28681] » SI3441BDV-T1-GE3
型号:SI3441BDV-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)描述:MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.45A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C90 毫欧 @ 3.3A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222850mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs8nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大860mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市潮南大宇电子有限公司 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877
北京显周科技有限公司刘先生13910052844(微信同步)
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市科雨电子有限公司汪小姐,15173547089,无线联通更快捷!171-4729-1886(微信同号)
深圳诚思涵科技有限公司朱先生0755-83015506-23947236
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SI3441BDV-T1-GE3相关型号

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